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    快三50期开奖,三星第六代 V-NAND 堆栈层数100+的奥秘所在

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华

        随着闪存原厂工艺技术的不断升级迭代,闪存原片的堆栈层数开始不断提高,目前韩系存储厂商在这一方面的表现尤为突出。早在去年我们就已经见到了采用9X层堆栈技术的三星970 EVO Plus NVMe SSD

    快三50期开奖,三星第六代 V-NAND  堆栈层数100+的奥秘所在

         今年6月三星推出了第六代V-NAND(1xx层256Gb 3D TLC NAND),8月份开始批量生产应用到了250GB SATA SSD,到今年底已经实现了第六代1xx层512Gb TLC 3D NAND的量产。

    100+层堆栈如何实现

       快三50期开奖从9x层升级到100+层堆栈,主要是应用到了三星电子有的“通道孔蚀刻”技术,与9x堆栈架构相比大约增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈,然后垂直自上而下穿过圆柱孔,形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。

        除此之外,由于打造 256Gb 芯片密度所需的通道孔数量已从上一代产品的超 9.3 亿降低到了现在的 6.7 亿孔,所以加工程序大大减少,生产效率得以提高超过20%。

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    性能更高 能耗更低

        由于固态硬盘的底层架构原因,随着每个单元区的模具堆栈高度增加的同时,NAND 闪存芯片更容易发生错误和读取延迟的现象。快三50期开奖为克服这些限制,三星100+层堆栈闪存芯片采用了速度优化的电路设计,使其可实现最快的数据传输速度,与上一代产品相比,性能提高 10% 以上,而能耗降低 15% ,可以说是很好的迎合了未来硬件的发展趋势。

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    应用更广

        得益于极高的性能和低功耗以及极高的生产效率等因素,三星最新一代的3D V-NAND产品可以在保证优秀性能的基础上保证量产效率。所以可以应用在消费级和企业级服务器中之外,还将会大范围应用在汽车市场等智能终端设备中。

    写在最后

        目前各大闪存原厂在100层+的堆栈技术研发上总体进度大致相当,不过也已经有更大容量版本的128层4D NAND开始量产。当然除了大容量以外,NAND Flash存储单元间距、功耗、整体性能、投资效益等都是重要的影响因素,相信在物联网、人工智能等带来的大数据存储需求下,容量更大、性能更强的闪存产品会不断问世。

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